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关于MOS场效应管的分析
- 2019-06-29-

       MOS即MOSFET的简写,全称是金属氧化物场效应晶体管。便是利用输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材。MOS管的构造、原理、特性、符号规矩和封装种类等,大致如下。
  1、MOS管的构造:
  MOS场效应管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体外表复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS管。它的栅极和其它电极间是绝缘的。
  2、MOS管的特性:
  1)MOS管是一个由改变电压来操控电流的器材,所以是电压器材。
  2)MOS管道输入特性为容性特性,所以输入阻抗极高。
  绝缘栅场效应管也叫做金属氧化物半导体场效应管,简称为M()S场效应管,分为耗尽型MOS管和加强型MOS管。
  场效应管还有单栅极管和双栅极符之分。双栅场效应管具有两个彼此独立的栅极G1和G2,从构造上看相当于由两个单栅场效应管串联而成,其输出电流的改变遭到两个栅极电压的操控。双腑场效应管的这种特性,在作为高频放大器、增益操控放大器、混频器和解调器运用时会带来很大方便。