Banner
首页 > 行业知识 > 内容
MOS场效应管什么会发热,其原因不能忽视
- 2019-08-01-

       做电源设计,或许做驱动方面的电路,要用到场效应管,也就是人们常说的MOS场效应管。MOS管有很多种,当然作用也不一样.做电源或许驱动的运用,当然就是用它的开关作用。接下来咱们来了解MOS管发热五大关键技术。
  1、芯片发热
  针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假设芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,再简单一点,就是要考虑散热。
  2、功率管发热
  功率管的功耗分两部分,开关损耗和导通损耗。要注意的是,大多数场合特别是LED市电驱动运用,开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动才干和作业频率有关,所以要处理功率管的发热可以从以下几个方面处理:A、不能片面依据导通电阻巨细来选择MOS功率管,由于内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,不同太大了,选择功率管时,够用就可以了。B、剩下的就是频率和芯片驱动才干了,这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想想是不是频率选择的有点高。想办法下降频率吧!不过要留意,当频率下降时,为了得到相同的负载才干,峰值电流必定要变大或许电感也变大,这都有或许导致电感进入饱满区域。假设电感饱满电流够大,可以考虑将CCM(连续电流形式)改动成DCM(非连续电流形式),这样就需要增加一个负载电容了。