Banner
首页 > 新闻动态 > 内容
MOS场效应管的基本结构和工作原理-mos场效应管和结型场效应管有什么区别
- 2021-01-19-

  MOS场效应管的基本结构和工作原理-mos场效应管和结型场效应管有什么区别


  很多人对MOS场效应管的工作原理、基本结构和检测方法不是很了解,尤其对于电工来说,如果有一个直观的概念可能在日常工作中能节省很多时间,而小编今天就搜集了整个对MOS场效应管的详细介绍,希望对各位电工朋友有所帮助。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管),属于绝缘栅型。特点:金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(高可达1015)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。MOS场效应管的基本结构和工作原理MOS场效应三极管分为:增强型(又有N沟道、P沟道之分)及耗尽型(分有N沟道、P沟道)。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号。其中:电极D(Drain)称为漏极,相当双极型三极管的集电极;电极G(Gate)称为栅极,相当于的基极;电极S(Source)称为源极,相当于发射极。1、N沟道增强型MOSFET(1)结构根据图1,N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2...